Solusi termal modul IGBT energi baru

Sebagai perangkat inti dari konversi dan transmisi energi baru, rentang daya modul IGBT adalah dari ratusan watt hingga beberapa mega watt, yang merupakan "CPU" dari perangkat elektronik listrik. Ini adalah penerapan penggerak umum dan energi terbarukan, seperti peralatan otomasi industri, peralatan rumah tangga, transit kereta api, dan medan energi baru.

 Heat sink pada modul IGBT

   Semakin besar arus modul IGBT, semakin tinggi frekuensi switching dan semakin tinggi konsumsi daya termal modul. Akibatnya, hilangnya modul IGBT akan besar dan suhu perangkat akan terlalu tinggi.

Jika suhu terlalu tinggi, efisiensi modul akan menurun, dan seluruh kemajuan pekerjaan akan terpengaruh.

Terutama komponen yang perlu bekerja terus menerus, modul IGBT lebih bergantung pada kebutuhan sistem pendingin termal yang baik untuk melakukan penjaminan.

Pembuangan panas modul IGBT yang buruk akan secara langsung menyebabkan kerusakan dan mempengaruhi pengoperasian seluruh mesin.

Secara umum, perangkat elektronik daya berdasarkan perangkat silikon harus beroperasi di bawah 125 derajat C dan IGBT harus beroperasi di bawah 150 derajat C, yang dapat diperpanjang hingga 200 derajat C untuk perangkat silikon karbida di masa mendatang.

Manajemen termal elektronika daya seringkali memerlukan penggunaan bahan antarmuka konduktif termal untuk menyambungkan IGBT ke unit pendingin, dan antarmuka memainkan peran penting dalam keseluruhan impedansi termal dan kinerja jangka panjang.

Modul IGBT terutama terdiri dari chip, lapisan keramik berlapis tembaga langsung, dan substrat. Interlayer dilas dengan solder, dan substrat umumnya dihubungkan ke radiator melalui pelumas termal. Ini memiliki ketahanan panas yang rendah, keandalan yang tinggi, dan tidak akan menguap dan mengeras saat terkena suhu tinggi untuk waktu yang lama. Ini adalah pilihan yang baik untuk pendinginan IGBT kendaraan energi baru.